在此之前,能够做到可编程,可读写,断电后存储数据不消失的半导体非易失性存储器,只有英特尔发明的EEPROM。
但是英特尔的EEPROM存在明显短板,那就是读写性能差、难以提高集成度等。
也就是说,英特尔根本不适合存储大容量的数据,因此只能用于计算机的BIOS引导芯片,用来引导计算机操作系统的启动。
而舛冈的解决思路,是“故意降低性能”。
简单来说,EEPROM的擦写数据方式是以字节为单位来进行的。
而到了NOR芯片当中,这些原本都拿着单独号码牌的数据,被打包成一个个“小集体”来看待,即以块为单位来进行擦和写。
在芯片里,“号码牌”本身就占据了电路的一部分,以前是一个房间一个号码牌,现在变成了一栋大楼一个号码牌,这么一来,“号码牌”就大大减少了,芯片的面积自然就缩小了,容量也更大,虽然写入速度变慢了,但是擦除速度却变快了。
性能总体还是降低了,但是这个代价换来的却是成本的巨大节约,达到了量产的要求。
而且速度也并非真正的慢,毕竟半导体内的电子都是以光速在运行,因此舛冈富士雄将之命名为FLASH,意思是速度像闪光灯一样快的存储,国内将之翻译成了“闪存”。