在此之前，能够做到可编程，可读写，断电后存储数据不消失的半导体非易失性存储器，只有英特尔发明的EEPROM。

但是英特尔的EEPROM存在明显短板，那就是读写性能差、难以提高集成度等。

也就是说，英特尔根本不适合存储大容量的数据，因此只能用于计算机的BIOS引导芯片，用来引导计算机操作系统的启动。

而舛冈的解决思路，是“故意降低性能”。

简单来说，EEPROM的擦写数据方式是以字节为单位来进行的。

而到了NOR芯片当中，这些原本都拿着单独号码牌的数据，被打包成一个个“小集体”来看待，即以块为单位来进行擦和写。

在芯片里，“号码牌”本身就占据了电路的一部分，以前是一个房间一个号码牌，现在变成了一栋大楼一个号码牌，这么一来，“号码牌”就大大减少了，芯片的面积自然就缩小了，容量也更大，虽然写入速度变慢了，但是擦除速度却变快了。

性能总体还是降低了，但是这个代价换来的却是成本的巨大节约，达到了量产的要求。

而且速度也并非真正的慢，毕竟半导体内的电子都是以光速在运行，因此舛冈富士雄将之命名为FLASH，意思是速度像闪光灯一样快的存储，国内将之翻译成了“闪存”。